Si C MOSFET在高压大功率领域中具有优良的特性,如开关速度快、损耗低以及优异的高温特性等特点,其在汽车电子、绿色能源以及工业......

为了提高用于直流微电网的SiC MOSFET固态断路器（SSCB）的可靠性，对其在较大电感条件下的短路特性和短路保护电路进行了研究。首先对SS......

现有沿用传统Si器件TO-247-3封装的分立式SiC MOSFET器件受限于键合线和平面换流回路，封装寄生电感偏大，增大了器件高频工况下的开关......

在当代智能电网背景下要求电能的分配具有智能化、合理化和经济化的优势的前提下,针对当前能源资源的损耗短缺与可再生新能源发电......

电力电子技术的发展离不开半导体功率器件的发展。经过几十年的发展和研究,硅基器件逐渐接近其物理极限。宽禁带半导体器件相对硅......

大功率电力电子器件是电动汽车逆变器的核心部件,极大地影响着电动汽车的动力性能和续航里程。基于第三代半导体材料SiC的功率半导......

为了解决SiC MOSFET并联产生的不均流问题，降低并联器件的温度差异性对均流的影响，通过采用均温板的方案，减小了并联器件的温度差异性......

降低模块化多电平变换器（modular multilevel converter, MMC）子模块电容电压波动对提高MMC功率密度，实现MMC轻型化具有重要意义。在......

碳化硅（SiC）功率器件作为第三代宽禁带半导体,相对硅（Si）器件而言,具有耐高温、高压和高频的特性。因此被广泛地应用在电力电子器件的......

SiC MOSFET因其耐高温、高压的优点，被广泛应用于大功率固态功率控制器的设计中。针对固态功率控制器工况，选用裸片封装的SiC MOSFET......

得益于单极导通输运机理和优越的材料特性,在相同功率密度下,SiC MOSFET往往比SiIGBT有着更高的工作频率,较大的禁带宽度和较高热......

SiC MOSFET凭借其相比Si IGBT更加优越的性能,成为最具前景的电力电子器件之一。而随着SiC材料外延技术的快速发展和制造工艺技术......

传统空调设备的谐波抑制方案存在能量密度低且低效的缺点，难以满足“双碳”目标下空调设备推广应用的需求。对此，本文提出一种基于全......

阐述了SiC器件和Si器件的开关特性和能耗对比;根据轨道交通牵引工况计算比较了SiC器件和Si器件的功率损耗;针对高开关频率应用,进......

电力电子技术的发展对变换器的小型化、轻量化、高效化给予了更高的期望。高开关频率高电压等级是电力电子器件发展的必然趋势,而S......

双有源桥（Dual Active Bridge,DAB）DC-DC变换器能够实现能量双向传输,且具有控制策略简单、传输效率高等优点,在新能源发电、储能和......

随着人们对Si材料的研究趋近物理极限,材料性能更佳的SiC材料成为功率半导体芯片研究重点。与Si IGBT结构相比,SiC MOSFET芯片存在......

介绍了SiC MOSFET驱动电路的设计要求，基于ACPL-355JC光耦驱动模块设计了SiC MOSFET驱动和保护电路。该电路具有驱动能力强、响应迅......

第三代宽禁带半导体材料SiC因物理特性优异获得更多关注与研究。因其耐压较高、开关频率较高以及低导通电阻,更加适合代替Si基器件......

随着半导体技术的迅速发展,功率半导体器件已成为现代电力电子系统的核心部件,在许多应用中对于电能的传输和转换起着至关重要的作......

碳化硅（SiC）器件具有禁带宽度宽、击穿电场高和热导率好等优点,尤其适用于高温、高压和大功率等工况。近年来,随着新能源汽车、航天......

随着能源枯竭和全球变暖,电动汽车成为解决该问题的最佳方式之一,近年来发展迅速,车载双向DC/DC变换器作为连接电动汽车动力电池和......

随着制备工艺的不断完善,碳化硅（SiC）MOSFET以其优越的材料特性,逐渐成为硅IGBT的有力替代者,可应用于轨道交通和电动汽车等中高功率......

宽禁带半导体材料碳化硅（Silicon Carbide,SiC）和氮化镓（Gallium Nitride,Ga N）相较于硅（Silicon,Si）具有更宽的禁带宽度、更高的临界击......

SiC MOSFET作为新兴的宽禁带半导体，目前在电源设计中被广泛用于取代Si IGBT。然而在弹载电源这类严苛的应用场合，SiC MOSFET关断暂......

第三代半导体碳化硅（SiC）材料具备耐高压、高频、高温等优越的特性，非常适合制作大功率电力电子器件。由于Si C材料不易氧化以及碳原......

SiC因其优越的电学特性，已发展成为高压功率器件领域的翘楚。然而，SiC与SiO2界面存在高密度界面态，使得SiC MOSFET沟道迁移率远低于Si......

三相PWM整流器作为交流电转直流电的电力转换装置在工业生产领域有着广泛的应用,其高频化发展是未来趋势之一。目前新一代宽禁带材......

随着经济快速发展、传统能源枯竭和环境污染日益严峻,国家越发重视对可再生能源特别是太阳能光伏发电的开发与利用。其中分布式光......

在现代工业自动化迅速发展的今天,应用在工业设备、航空航天、电动汽车和家用电器等领域的电力电子变换器逐渐向高功率密度、高效......

电力电子器件在装置中的实际性能一方面和电路实际拓扑、控制方式、外部环境等有关,另一方面也和器件本身材料有关。用传统的逆变......

为减少碳化硅（silicon carbide，SiC）金属氧化物半导体场效应管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOSFET）的开关时间......

近年来,随着第三代宽禁带半导体材料的发展,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Fiel......

随着材料技术的发展,碳化硅（Silicon Carbide,SiC）材料应运而生,SiC半导体器件具有的优异性能决定其适合于高频、高效率和高温环境,......

随着电力电子技术的发展,电力电子设备在医疗器械、工业制造以及消费等行业得到了广泛应用,对国民经济水平的提高具有重大意义。其......

碳化硅（SiC）金属-氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）作为第三代宽禁带半导体器件......

随着电机及驱动器产业的迅速发展,发热大、寿命短、效率低的直流有刷电机逐渐被高效率、低噪声、寿命长、高效率的直流无刷电机替......

由于寄生参数的影响，SiC MOSFET应用于双向Buck/Boost变换器时会出现串扰现象，在高速开关过程中会产生额外损耗甚至发生误导通，影响变......

三相中频电源是一种特种电源,能够将工频交流电或直流电转换为中频交流电（常用的为400Hz）,被广泛应用于航空、船舰、雷达等对供电性......

永磁同步电机由于具有效率高,功率密度大,调速范围大等优点,在现代工业中应用广泛,而目前的PMSM驱动装置主电路通常采用硅器件,但......

碳化硅（SiC）具有优良的电学和热学特性，是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET非常适合应用于大功率领域，而高温......

随着高速列车的飞速发展,高频化、轻量化与智能化已成为下一代高速列车电气装备的重要发展趋势。充电机是高速列车的核心电气装备......

碳化硅(silicon carbide,SiC)金属半导体场效应管(metal semiconductor field effect transistor,MOSFET)以其优异的材料特性成为......

电力电子转换设备的性能与其核心功率开关器件息息相关,传统硅基器件的发展已逼近其材料的物理极限,成为当前限制电力电子转换设备......

伴随核能与空间技术的快速发展,SiC MOSFET等高压大功率器件的应用不断增加,其因环境中的高能粒子辐射所引起的单粒子效应问题(如......

近年来,随着新能源发电、电动汽车、通信电源以及智能电网等新兴应用快速发展,对电力电子装置的效率和应用环境提出了更为严苛的要......

退役锂电池通过回收后再梯次利用,可最大化其生命周期和资源利用率,对电池模组级甚至电池包级的检测并应用可获得比电芯级更高的效......

SiC器件具有高温、高压、高频的优异特性，广泛应用于交通、电力等领域，其国产化迫在眉睫。以全球能源互联网研究院有限公司研制的同......

功率循环测试被称为考核功率器件封装可靠性最重要的实验，尤其是SiC MOSFET功率器件的快速发展，是近几年的研究热点。与其他可靠性测......

为解决驱动信号延迟造成SiC MOSFET在串联应用中电压失衡的问题,提出一种优化的无源缓冲方法.在MOS管栅极与漏极两端并联一个均压......